Разность потенциалов конденсаторов при параллельном соединении. Упражнения и задачи. Что будем делать с полученным материалом
Сообщим обкладкам плоского конденсатора заряды +Q и –Q . Плотность заряда на обкладках станет равной , а напряжённость однородного электрического поля, возникшего в конденсаторе (см. 2.17):
Воспользовавшись связью напряжённости и потенциала в электрическом поле, вычислим разность потенциалов на обкладках конденсатора:
Это соотношение и позволяет определить ёмкость плоского конденсатора
(4.7)
Ёмкость этого конденсатора прямо пропорциональна площади его обкладок (S ) и обратно пропорциональна расстоянию (d ) между ними.
Напомним, что разность потенциалов между обкладками была вычислена в предположении, что поле между ними однородное. Это означает, что результат (4.7) в известном смысле идеализация. Мы вычислили ёмкость плоского конденсатора, пренебрегая краевыми искажениями поля.
Обкладками такого конденсатора являются две концентрические сферы радиусами R 1 и R 2 (рис. 4.10, b).
На прошлой лекции была вычислена разность потенциалов между обкладками сферического конденсатора. Она оказалась пропорциональна заряду конденсатора (см. 3.27).
Ёмкость, равная по определению отношению заряда к разности потенциалов, для сферического конденсатора, составит следующую величину
Этот результат свидетельствует о том, что ёмкость сферического конденсатора зависит от размеров сфер (R 1 и R 2) и от величины зазора d (d = R 1 – R 2) между ними.
Интересно, что при достаточно малом зазоре d , когда R 1 » R 2 = R , можно записать ёмкость сферического конденсатора так:
Но 4pR 2 = S - площадь поверхности сферы. Поэтому
и ёмкость сферического конденсатора оказывается равной ёмкости «эквивалентного» плоского конденсатора.
Сообщим обкладкам цилиндрического конденсатора заряды (+q ) и (–q ) (рис. 4.11.). Вычислим напряжённость поля между обкладками. Для этого выберем гауссову замкнутую поверхность в виде цилиндра радиусом R 1 < r < R 2 и высотой l . Пренебрегая краевыми эффектами (!), запишем уравнение теоремы Гаусса
Из последнего равенства заключаем, что
Теперь, воспользовавшись связью напряжённости и потенциала электрического поля , вычислим разность потенциалов между обкладками цилиндрического конденсатора
Как и в случае других конденсаторов, разность потенциалов на обкладках цилиндрического конденсатора оказалась пропорциональной заряду q . Поэтому ёмкость конкретного цилиндрического конденсатора оказывается величиной постоянной, зависящей только от размеров этого конденсатора
Конфигурация конденсатора такова, что поле, которое создается зарядами, локализовано между обкладками. В общем случае электроемкость конденсатора равна:
\
где ${\varphi }_1-{\varphi }_2=U$ -- разность потенциалов обкладок, которую называют напряжением и обозначают $U$. Емкость по определению считается положительной величиной. Она зависит только от геометрии обкладок конденсатора их взаиморасположения и диэлектрика. Форму обкладок и их расположение подбирают так, чтобы внешние поля минимально влияли на внутреннее поле конденсатора. Силовые линии поля конденсатора начинались на проводнике с положительным зарядом и заканчивались на проводнике с отрицательным зарядом. Конденсатор может быть проводником, который помещен в полость, окруженную замкнутой оболочкой.
В соответствии с конфигураций конденсаторов можно выделить три большие группы: плоские, сферические и цилиндрические (по форме обкладок). Вычисление емкости конденсатора сводится к определению $напряжения$ конденсатора при известном заряде на его обкладках.
Плоский конденсатор
Плоский конденсатор (рис.1) - это две разноименно заряженные пластины, разделенные тонким слоем диэлектрика. Формула для расчета емкости такого конденсатора представляет собой выражение:
\[С=\frac{\varepsilon {\varepsilon }_0S}{d}\left(2\right),\]
где $S$ -- площадь обкладки, $d$ -- расстояние между обкладками, $\varepsilon $ -- диэлектрическая проницаемость вещества. Чем меньше $d$, тем больше совпадает расчётная емкость конденсатора (2), с реальной емкостью.
Электроемкость плоского конденсатора, заполненного N слоями диэлектрика, толщина слоя с номером i равна $d_i$, диэлектрическая проницаемость этого слоя ${\varepsilon }_i$ вычисляется по формуле:
\
Сферический конденсатор
В том случае, если внутренний проводник шар или сфера, внешняя замкнутая оболочка -- концентрическая ему сфера, то конденсатор является сферическим. Сферический конденсатор (рис.2) состоит из двух концентрических проводящих сферических поверхностей с пространством между обкладками, заполненным диэлектриком. Емкость его можно рассчитать по формуле:
\
где $R_1{\ и\ R}_2$ -- радиусы обкладок.
Цилиндрический конденсатор
Емкость цилиндрического конденсатора равна:
\
где $l$ - высота цилиндров, $R_1$ и $R_2$ -- радиусы обкладок. Этот вид конденсаторов представляет собой две коаксиальных (соосных) проводящих цилиндрических поверхности (рис.3).
Еще одной, но не маловажной характеристикой всех конденсаторов является пробивное напряжение ($U_{max}$)-- это напряжение, при котором происходит электрический разряд через слой диэлектрика. $U_{max}$ зависит от толщины слоя и свойств диэлектрика, конфигурации конденсатора.
Помимо одиночных конденсаторов применяют их соединения. Для того чтобы увеличить емкость используют параллельное соединение конденсаторов (соединение одноименными обкладками). В этом случае результирующая емкость такого соединения может быть найдена как сумма${\ С}_i$ где $С_i$ -- емкость конденсатора с номером i:
\
Если конденсаторы соединить последовательно (обкладками с разными знаками заряда), то суммарная емкость соединения будет всегда меньше, чем минимальная емкость любого конденсатора, который входит в систему. В этом случаем для того чтобы рассчитать результирующую емкость складывают величины, обратные к емкостям отдельных конденсаторов:
\[\frac{1}{C}=\sum\limits^N_{i=1}{{\frac{1}{C_i}}_i}\left(7\right).\]
Цилиндрический конденсатор представляет собой два коаксиальных цилиндра радиусами R 1 и R 2 и высотой , между которыми находится диэлектрик с диэлектрической проницаемостью e (рисунок 32).
Для расчета электрического поля между обкладками применим теорему гаусса к цилиндрической поверхности произвольного радиуса R (R 1 < R > R 2). При этом учтем, что ввиду радиальной симметрии поток вектора через торцовые поверхности выделенного цилиндра равен нулю, и напряженность поля Е зависит только от радиуса R
Отсюда ,
где Q – величина заряда на обкладках конденсатора. Воспользуемся связью между напряженностью и потенциалом . (34). Проинтегрируем , или . (35)
Из формулы (38) находим емкость цилиндрического конденсатора
. (36)
Конец работы -
Эта тема принадлежит разделу:
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ
Физические и химические свойства вещества от атома до живой клетки в значительной степени объясняются электрическими силами Электрические... Электростатическое... Пример Среда e Вакуум Воздух Керосин Вода...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Все темы данного раздела:
Неоднородные цепи
Электрическая цепь, в которой непрерывное протекание тока обеспечивается за счет сторонних сил, называется н
МАГНИТНОЕ ПОЛЕ В ВАКУУМЕ
Вблизи неподвижных зарядов возникает электростатическое поле. Движение зарядов (протекание электрического тока) приводит к появлению новой формы материи – магнитного поля. Это особа
Циркуляция вектора магнитной индукции
По аналогии с электростатикой определяется понятие циркуляции вектора по замкнутому контуру
Контур с током в однородном магнитном поле
Применим закон Ампера к прямоугольному контуру с током в однородном магнитном поле. На ребра “a” действует сила
Контур с током в неоднородном магнитном поле
Если контур с током находится в неоднородном магнитном поле, то на разные его участки действуют неодинаковые силы
Контур с током в радиальном магнитном поле
Из формул (37) и (38) следует, что в однородном магнитном поле вращающий момент, действующий на контур с током максимален, если
Электродвигатели
Из рисунка 23 следует, что при выбранной ориентации полюсов магнита и направления тока а контуре вращающий момент направлен «на нас», то есть стремится повернуть контур против часов
Работа магнитного поля
Если действующая на проводник с током со стороны магнитного поля сила ампера вызывает его перемещение, то о
Намагниченность веществ
Различные вещества в магнитном поле намагничиваются, то есть приобретают магнитный момент и сами становятся источниками магнитных полей. Результирующее магнитное поле в среде является суммой полей,
Диа-, пара- и ферромагнетики и их применение.
Магнитный момент атома включает несколько составляющих,
где
Диамагнетики
У некоторых атомов (Cu, Au, Zn и др.) электронные оболочки имеют такое строение, что орбитальный и спиновый моменты взаимно скомпенсированы, и в целом магнитный момент атома равен н
Парамагнетики
У атомов таких веществ, как Al, Mn, Os и др. нескомпенсирован суммарный орбитальный момент, то есть в отсутствие внешнего поля у них имеются собственные магнитные моменты. Тепловое
Ферромагнетики и их применение
Вещества, у которых магнитная проницаемость достигает сотен и даже миллионов единиц, выделе
ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ИНДУКЦИЯ
В основе современного способа производства электроэнергии лежит физическое явление электромагнитной индукции, открытое Фарадеем в 1831 г.
Современная энергетика все больше
Явление электромагнитной индукции
Рассмотрим сущность электромагнитной индукции и принципы, которые приводят к этому явлению.
Предположим, что проводник 1-2 перемещается в магнитном поле со скоростью
Электрогенератор
Закон Фарадея относится к фундаментальным законам природы, и является следствием закона сохранения энергии. Он широко применяется в технике, в частности, в генераторах. Основная час
Самоиндукция
Явление электромагнитной индукции наблюдается во всех случаях, когда изменяется магнитный поток, пронизывающий контур. В частности, магнитный поток создается и током, текущим в самом контуре. Поэто
Переходные процессы в цепях с индуктивностью
Рассмотрим цепь, содержащую индуктивность и активное сопротивление (рисунок 44). В исходном состоянии ключ S находился в нейтральном положении.
Пусть в момент времени t
Взаимная индукция. Трансформатор
Явление взаимной индукции – это частный случай явления электромагнитной индукции.
Поместим два кон
УРАВНЕНИЯ МАКСВЕЛЛА
К середине XIX века было накоплено большое количество экспериментальных фактов по электричеству и магнетизму. Неоценимый вклад в это внес М. Фарадей, венцом творческих успехов котор
Энергия магнитного поля
Рассчитаем энергию магнитного поля. Для этого вычислим работу источника тока в цепи с индуктивностью. При установлении тока в такой цепи по закону Ома имеем
iR = ε
Вихревое электрическое поле
В соответствии с законом Фарадея для электромагнитной индукции в контуре, который движется в магнитном поле, возникает ЭДС, пропорциональная скорости изменения магнитного потока в э
Ток смещения
В соответствии с прямой гипотезой Дж. Максвелла изменяющееся магнитное поле порождает переменное электрическое поле. Обратная гипотеза Максвелла утверждает, что переменное электриче
Уравнения Максвелла
В 1860-65 гг. Максвелл развил теорию единого электромагнитного поля, которое описывается системой уравнений Максвелла
Основные положения и соотношения
1. Закон Кулона
F = Q 1 ⋅ Q 2 4 π ⋅ ε a ⋅ R 2 , (1)
F - сила взаимодействия между зарядами;
Q 1 и Q 2 - точечные заряды;
R - расстояние между ними;
ε a - абсолютная диэлектрическая проницаемость среды, равная ε 0 ·ε r ;
ε r - относительная диэлектрическая проницаемость;
ε 0 = 1 4 π ⋅ с 2 ⋅ 10 − 7 ≈ 8,85418782 ⋅ 10 − 12 Ф м - электрическая постоянная .
2. Напряженность электростатического поля точечного заряда Q на расстоянии R от него
E = Q 4 π ⋅ ε a ⋅ R 2 . (2)
Напряженность поля в любой точке между пластинами плоского конденсатора вдалеке от краев
здесь d - расстояние между пластинами конденсатора, U - напряжение.
r от бесконечно длинной заряженной оси с линейной плотностью τ
E = τ 2 π ⋅ ε a ⋅ r . (4)
Напряженность поля в точке, отстоящей на расстоянии r от оси цилиндрического конденсатора (r 1 <r < r 2)
E = U r ⋅ ln r 2 r 1 , (5)
здесь U - напряжение конденсатора, r 1 и r
Напряженность поля в точке, отстоящей на расстоянии R от центра сферического конденсатора (R 1 < R < R 2)
E = U ⋅ R 1 ⋅ R 2 R 2 ⋅ (R 2 − R 1) , (6)
здесь U - напряжение конденсатора, R 1 и R 2 - соответственно внутренний и внешний радиусы конденсатора.
3. Вектор электрического смещения
D → = ε a ⋅ E → . (7)
4. Общее выражение емкости конденсатора
Емкость плоского конденсатора
C = ε a ⋅ S d = ε r ⋅ ε 0 ⋅ S d , (9)
Емкость цилиндрического конденсатор а
C = 2 π ⋅ ε a ⋅ l ln r 2 r 1 , (10)
C = 4 π ⋅ ε a ⋅ R 1 ⋅ R 2 R 2 − R 1 , (11)
Емкость двухпроводной линии
C = π ⋅ ε a ⋅ l ln [ D 2 a + (D 2 a) 2 − 1 ] , (12)
здесь l - длина линии, D - расстояние между осями проводов, a - радиус проводов.
Емкость однопроводной линии
C = 2 π ⋅ ε a ⋅ l ln [ h a + (h a) 2 − 1 ] , (13)
здесь l - длина линии, h - высота подвеса провода над землей, a - радиус провода.
5. При параллельном соединении конденсаторов С 1 , С 2 , ..., С n эквивалентная емкость равна
C = C 1 + C 2 + ... + C n = ∑ k = 1 n C k . (14)
При последовательном соединении конденсаторов эквивалентная емкость определяется из формулы
1 C = 1 C 1 + 1 C 2 + ... + 1 C n = ∑ k = 1 n 1 C k . (15)
Для двух последовательно соединенных конденсаторов эквивалентная емкость составляет
C = C 1 ⋅ C 2 C 1 + C 2 , (16)
а напряжения между отдельными конденсаторами распределяются обратно пропорционально их емкостям
U 1 = U ⋅ C 2 C 1 + C 2 ; U 2 = U ⋅ C 1 C 1 + C 2 . (17)
6. Энергия электростатического поля конденсатора
W = C ⋅ U 2 2 = Q ⋅ U 2 = Q 2 2 C . (18)
Удельная энергия электростатического поля (на единицу объема диэлектрика) выражается следующим образом
w = d W d V = E ⋅ D 2 = ε a ⋅ E 2 2 . (19)
Общая величина энергии электростатического поля выражается интегралом величины удельной энергии по всему объему диэлектрика конденсатора
W = ∫ V ε a ⋅ E 2 2 d V . (20)
7. Расчет распределения зарядов в сложных цепях, содержащих источники э. д. с. и конденсаторы, производится путем составления уравнений по двум законам:
1) По закону сохранения электричества (закон сохранения электрического заряда): алгебраическая сумма зарядов на обкладках конденсаторов, соединенных в узел и не подключенных к источнику энергии, равна алгебраической сумме зарядов, имевшихся на этих обкладках до их соединения :
Σ Q = Σ Q ′ . (21)
2) По второму закону Кирхгофа: алгебраическая сумма э. д. с. в замкнутом контуре равна алгебраической сумме напряжений на участках контура, в том числе на входящих в него конденсаторах :
∑ k = 1 n E k = ∑ k = 1 n U C k = ∑ k = 1 n Q k C k . (22)
Упражнения и задачи
Задача 1 . Имеется конденсатор переменной емкости от 500 до 1500 пФ. Указать, какой добавочный конденсатор с минимальным диапазоном переменной емкости следует взять и как его включить, чтобы эквивалентная емкость изменялась от 100 до 250 пФ.
Ответ : 125 - 300 пФ, включить параллельно.
Задача 2 . Емкость плоского конденсатора, имеющего слюдяной диэлектрик, равна 44,3 пФ. Площадь каждой пластины конденсатора составляет 25 см 2 , расстояние между пластинами равно 3 мм.
Чему равна относительная диэлектрическая проницаемость слюды? Принимая пробивное напряжение слюды равным 80 кВ/мм, определить, при каком максимальном напряжении может работать этот конденсатор, чтобы он имел трехкратный запас прочности.
Начертить график изменения потенциала между пластинами конденсатора.
Ответ : ε r = 6; U max = 80 кВ; график падения потенциала вычерчивается по уравнению φ = U ·(1 - x/ d ), здесь U - потенциал положительно заряженной обкладки, принятый равным напряжению конденсатора, d - расстояние между пластинами, x - переменное расстояние до положительной обкладки конденсатора.
Задача 3 . Доказать, что многопластинчатый конденсатор (рис. 1), состоящий из n одинаковых пластин, площадью S каждая, с рас стоянием между двумя соседними пластинами d , с диэлектриком, абсолютная диэлектрическая проницаемость которого ε , имеет емкость, равную
C = ε a ⋅ S ⋅ (n − 1) d .
Подсчитать, сколько надо взять листов станиоля, каждый площадью S = 40 см 2 , чтобы получить многопластинчатый конденсатор емкостью 0,5 мкФ при условии, что диэлектриком является парафинированная бумага (ε r = 1,8) толщиною 0,05 мм.
Ответ : 393 листа.
Задача 4. Плоский слоистый конденсатор (рис. 2), поверхность каждой пластины которого S = 12 см 2 , имеет диэлектрик, состоящий из слюды (ε r 1 = 6) толщиною d 1 = 0,3 мм и стекла (ε r 2 = 7) толщиною d 2 =0,4 мм.
Пробивные напряженности слюды и стекла соответственно равны E 1 = 77 кВ/мм, E 2 = 36 кВ/мм.
Вычислить емкость конденсатора и предельное напряжение, на которое его можно включать, принимая для более слабого слоя двойной запас электрической прочности.
Решение
Эквивалентная емкость слоистого конденсатора определится как емкость двух последовательно соединенных конденсаторов
C = C 1 ⋅ C 2 C 1 + C 2 = ε a 1 ⋅ S d 1 ⋅ ε a 2 ⋅ S d 2 ε a 1 ⋅ S d 1 + ε a 2 ⋅ S d 2 = ε a 1 ⋅ ε a 2 ⋅ S ε a 1 ⋅ d 2 + ε a 2 ⋅ d 1 .
Подставляя сюда числовые значения, предварительно заменив ε a 1 = ε 0 ε r 1 и ε a 2 = ε 0 ε r 2 , получим
C = ε 0 ⋅ ε r 1 ⋅ ε r 2 ⋅ S ε r 1 ⋅ d 2 + ε r 2 ⋅ d 1 = 8,85 ⋅ 10 − 12 ⋅ 6 ⋅ 7 ⋅ 12 ⋅ 10 − 4 6 ⋅ 0,4 ⋅ 10 − 3 + 7 ⋅ 0,3 ⋅ 10 − 3 = 99 ⋅ 10 − 12 Ф.
Обозначим общее напряжение, подключаемое к слоистому конденсатору, через U пр , при этом заряд конденсатора будет равен
Q = C ·U пр .
Напряжения на каждом слое будут равны
U 1 = Q C 1 = C ⋅ U п р ε a 1 ⋅ S d 1 = ε a 2 ⋅ d 1 ε a 1 ⋅ d 2 + ε a 2 ⋅ d 1 ⋅ U п р; U 2 = Q C 2 = C ⋅ U п р ε a 2 ⋅ S d 2 = ε a 1 ⋅ d 2 ε a 1 ⋅ d 2 + ε a 2 ⋅ d 1 ⋅ U п р.
Напряженности электростатического поля в каждом слое
E 1 = U 1 d 1 = ε a 2 ε a 1 ⋅ d 2 + ε a 2 ⋅ d 1 ⋅ U ′ п р; E 2 = U 2 d 2 = ε a 1 ε a 1 ⋅ d 2 + ε a 2 ⋅ d 1 ⋅ U ″ п р.
Здесь U" np - общее напряжение, подключаемое к конденсатору, при котором пробивается первый слой, a U"" np - общее напряжение, при котором происходит пробой второго слоя.
Из последнего выражения находим
U ′ п р = E 1 ⋅ ε a 1 ⋅ d 2 + ε a 2 ⋅ d 1 ε a 2 = 49,5 к В; U ″ п р = E 2 ⋅ ε a 1 ⋅ d 2 + ε a 2 ⋅ d 1 ε a 1 = 27,0 к В.
Таким образом, более слабым слоем является второй; согласно условию, принимая для него двойной запас прочности, находим, что конденсатор может быть включен на напряжение, равное
27,0 кВ / 2 = 13,5 кВ.
Задача 5 . Вычислить емкость 1 км коаксиального кабеля типа 2,6/9,4. В этом кабеле изоляция осуществлена с помощью полиэтиленовых шайб (ε r = 2,2) толщиною a = 2,2 мм, размещенных через равные промежутки b = 25 мм, остальное пространство между шайбами заполнено воздухом (рис. 3). Диаметр жилы d = 2,6 мм, внутренний диаметр наружного провода D = 9,4 мм.
Указание . Емкость кабеля может быть подсчитана, исходя из того, что отдельные его участки соединены параллельно.
Ответ : 48·10 -9 Ф/км = 48 нФ/км.
Задача 6 . Силовой одножильный кабель с резиновой изоляцией в свинцовой оболочке марки СРГ имеет сечение жилы 25 мм 2 . Известно, что наибольшая напряженность электростатического поля в изоляции кабеля не должна превышать 6 кВ/мм. Определить толщину слоя резиновой изоляции, если при испытании кабеля между жилой и оболочкой включают напряжение, равное 10 кВ.
Принимая потенциал жилы кабеля равным U = 10 кВ, построить график падения потенциала в диэлектрике кабеля в зависимости от расстояния до центра кабеля.
Ответ: 2,25 мм. График строится по уравнению φ (r) = U ⋅ ln r 2 r ln r 2 r 1 .
Задача 7 . Цилиндрический конденсатор длиною l = 5 см имеет двухслойный диэлектрик (рис. 4).
Внутренний радиус r 1 = 1 см, внешний - r 2 = 3 см, радиус разграничения слоев диэлектриков r 3 = 1.5 см. Относительные диэлектрические проницаемости: внутреннего слоя изоляции ε r 1 = 2, наружного ε r 2 = 4.
Вычислить емкость конденсатора и начертить кривые изменения напряженностей и потенциалов в каждом из слоев, если конденсатор находится под напряжением U = 2 кВ.
Указание . При помощи теоремы Гаусса находятся напряженности электростатического поля в каждом из слоев
E 1 = τ 2 π ⋅ ε a 1 ⋅ r ; E 2 = τ 2 π ⋅ ε a 2 ⋅ r ,
где τ - линейная плотность заряда (заряд на единицу длины конденсатора). Затем вычисляется напряжение между обкладками конденсатора по формуле
U = ∫ r 1 r 3 E 1 d r + ∫ r 3 r 2 E 2 d r .
Отсюда определяется линейная плотность заряда
τ = 2 π ⋅ U 1 ε a 1 ln r 3 r 1 + 1 ε a 2 ln r 2 r 3 .
Емкость конденсатора вычисляется по формуле (8). Потенциал φ 1 в любой точке области первого слоя диэлектрика (r 3 > r > r 1) определяется из выражения
φ r 1 − φ 1 = ∫ r 1 r E 1 d r ,
а потенциал φ 2 в любой точке области второго слоя (r 2 > r > r 3) диэлектрика вычисляется из выражения
φ r 2 − φ 2 = ∫ r 2 r E 2 d r .
В последних формулах φ r 1 = U - потенциал внутренней обкладки конденсатора, φ r 2 - потенциал на границе раздела диэлектриков. Внешняя оболочка заземлена: φ 2 (r 2) = 0.
C = 2 π ⋅ l 1 ε a 1 ln r 3 r 1 + 1 ε a 2 ln r 2 r 3 ; E 1 (r) = U r ⋅ (ln r 3 r 1 + ε a 1 ε a 2 ln r 2 r 3) ; E 2 (r) = U r ⋅ (ε a 2 ε a 1 ln r 3 r 1 + ln r 2 r 3) ; φ 1 (r) = U ⋅ (1 − ln r r 1 ln r 3 r 1 + ε a 1 ε a 2 ln r 2 r 3) ; φ 2 (r) = U ⋅ ε a 1 ε a 2 ln r 2 r ln r 3 r 1 + ε a 1 ε a 2 ln r 2 r 3 .
На рис. 1.8, а изображен плоский конденсатор, на рис. 1.9 - цилиндрический. Если заряд на одной обкладке (электроде) конденсатора +q , на другой -q , то в пространстве между обкладками существует электрическое поле и между обкладками имеется напряжение U . Заряд q пропорционален U: q = CU . Коэффициент пропорциональности С называют емкостью
C = q/U (1.31)
Емкость зависит от геометрических размеров конденсатора и от диэлектрика между обкладками. От величины напряжения U емкость, как правило, не зависит. Исключение составляют конденсаторы, у которых между обкладками находится сегнетодиэлектрик (у сегнетодиэлектрика ε r является функцией Е ). Единицей емкости является фарад(Ф ) или более мелкие единицы микро, нано и пико-фарад: 1 мкФ = 10 -6 Ф; 1 нФ = 10 -9 Ф; 1 пФ = 10 -12 Ф.
Пример 1. Вывести формулу для емкости плоского конденсатора (рис. 1.8, а). Площадь его каждой пластины (с одной стороны) S , расстояние между пластинами a , относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика ε r .
На рис. 1.8, б (вид сбоку) показаны силовые линии. В основной области поле однородно. На краях имеется некоторая неоднородность, которую здесь учитывать не будем. направлена от заряда +q к заряду -q . Охватим верхний электрод замкнутой поверхностью (след ее на рис. 1.8, б показан пунктиром) и применим к ней теорему Гаусса: . Следовательно, и .
Пример 2. Вывести формулу емкости цилиндрического конденсатора (рис. 1.9, а). На внутреннем электроде радиусом r 1 находится заряд +q , на наружном электроде радиусом r 2 - заряд -q .
Решение. Окружим внутренний электрод цилиндрической замкнутой поверхностью радиуса r
(r 1
. Отсюда